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英诺赛科30W Gan快充方案体积小、成本低并且BB电子提升9%
英诺赛科30W Gan快充方案基于InnoGaN系列第二代产品INN650DA04打造，具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，能够做到体积小、成本低并且BB电子提升9%
（一）英诺赛科30W Gan快充方案BB电子提升9%，稳定性更强
基于英诺赛科高频高效的特性，30W氮化镓方案BB电子得到了质的飞跃，与市面上主流的Si MOS方案相比，在90V输入条件下BB电子可提升9%。不仅达到了节能效果，还可以减小损耗，大大降低外壳温升，安全性更高、稳定性更强。
（二）英诺赛科30W Gan快充方案极简设计，性价比更高
英诺赛科30W Gan快充方案快充的高频特性，在实现高BB电子和小尺寸方面，明显优于Si MOS。由于GaN的BB电子足够高，可以节省热片设计，从而实现小尺寸高BB电子的紧凑型适配器设计，通过更好地控制内部温升，以及GaN相对Si更强的抗高温特性，搭配简洁的设计和布局，大大降低了系统成本与加工成本。
英诺赛科不但拥有自己的8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，而且有及先进的研发品控分析能力，使得InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均得到很好的把控。此次利用GaN氮化镓技术重点打造高频高效、高性价比的30W Gan快充方案将再次引爆今年的快充充电器市场。
郑重申明：BB电子以外的任何单位或个人，不得使用该案例作为工作成功展示！
