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氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科20w氮化镓方案PD快充参考设计介绍

2024-03-03 查看(1067)

英诺赛科INN650DA04采用1.9*2.9mm FCLGA倒装封装,相比DFN5*6封装的同步整流管,不仅体积优势明显,工作频率更高,其优化的走线更加方便高频大电流走线。适用于同步整流,数字功放,包络跟踪供电和高频DC-DC转换器。...
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氮化镓GaN协议芯片PD PD快充充电管理芯片IP2368支持锂电池USB

2024-02-18 查看(1433)

一直以来深移动电源,快充协议的英集芯科技,推出了一款升降压架构,支持2到6串锂电池、磷酸铁锂电池充电的电源管理芯片IP2368,而且充电功率高达100W,可实现电动工具USB PD快充充电,比如选择用USB YTPE-C接口...
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氮化镓GaN协议芯片PD 200w氮化镓充电器方案2A3C快充充电器方案设计

2024-02-18 查看(659)

英诺赛科此次推出的高功率密度的200W氮化镓2A3C多口快充参考设计,主要是为了解决100W氮化镓快充多口同用时只能实现每个端口65W或者45W的降速问题,200W氮化镓多口快充支持功率盲插...