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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科30W Gan快充方案体积小、成本低并且BB电子提升9%
- 英诺赛科30W Gan快充方案快充的高频特性，在实现高BB电子和小尺寸方面，明显优于Si MOS。由于GaN的BB电子足够高，可以节省热片设计，从而实现小尺寸高BB电子的紧凑型适配器设计，通过更好地控制内部温升，以及GaN相对Si更强的抗高温特性，搭配简洁的设计和布局，大大降低了系统成本与加工成本。...
2024-09-25 查看(773)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 小米同款33W氮化镓PD快充方案参考设计INN650DA04
- 支持PD、PPS、Apple2.4A、QC2.0、QC3.0、QC4+、AFC以及FCP等快充协议。（2）支持5V⎓3A、9V⎓3A、12V⎓2.5A三个固定PD快充输出档位； （3）5-11V⎓3A一组PPS快充档位；（4）支持小米11V3A私有PD快充档位。...
2024-09-25 查看(658)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科33W氮化镓充电器方案支持小米33w快充INN650DA04
- 33W氮化镓充电器方案支持PD、PPS、Apple2.4A、QC2.0、QC3.0、QC4+、AFC以及FCP等快充协议。不但支持5V⎓3A、9V⎓3A、12V⎓2.5A三个固定PD输出档位而且支持5-11V⎓3A一组PPS快充档位，此外还支持小米11V3A私有快充档位。...
2024-09-25 查看(676)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 65w氮化镓充电器1A1C输出pd快充方案低成本bom40元左右
- BB电子(中国)有限公司推出一款基于英诺赛科GaN氮化镓器件打造的30~65W驱动模块小板参考设计，能够快速部署65w氮化镓充电器产品，适合做1A1C或者单C输出的65w氮化镓充电器方案。...
2024-09-09 查看(793)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 120w氮化镓充电器方案2A2C输出，英诺赛科氮化镓GaN设计
- 采用折叠式AC插脚，插脚输入面密密麻麻标注了各种参数信息。总结三句话，单C口最大输出100W，双C口输出60+60W，三口输出60+30+30W，协议方面除vooc这些不能快速充电，其他种类基本通吃。...
2024-09-09 查看(574)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD Aohi迷你充选用IP2726快充协议芯片及30W氮化镓充电器方案
- Aohi这款30W氮化镓充电器选用英集芯IP2726快充协议芯片，IP2726是一颗集成多种协议、用于USB输出端口的快充IC，主要运用于迷你快充的30W氮化镓充电器方案，支持Type-C DFP、PD2.0/3.0、PPS、QC4+、QC2.0/3.0、FCP、AFC、SCP、MTK PE+、Ap...
2024-09-09 查看(650)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 65W氮化镓方案,英诺赛科INN650D02搭配JW1515H控制器
- BB电子65W氮化镓方案，主电路开关管采用英诺赛科INN650D02，这是一颗耐压650V，200mΩ的氮化镓开关管。英诺赛科INN650D02开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。...
2024-09-09 查看(1007)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 小体积33w氮化镓快充方案,英诺赛科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片
- 氮化镓功率器件开关管采用英诺赛科INN650DA04，这是一颗DFN5*6封装的氮化镓开关管，具有小体积，散热快，开关损耗低等优势。...
2024-09-09 查看(661)
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- 氮化镓GaN协议芯片PD 英诺赛科INN650D02智能小巧大功率GaN氮化镓方案240W
- 安述智能推出的一款240W氮化镓+碳化硅适配器，这么大的输出功率不仅可以喂饱目前市面上绝大多数游戏本、工作本，而且这么大功率下机身尺寸仅为103*72*29mm，功率密度达到1.12W/cm³，比常见的氮化镓适配器功率密度更大，是名副其实的小巧大功率GaN氮化镓适配器方案240W。...
2024-09-09 查看(666)
